Cableado de celdas y armarios de control
Limp vacuum-extruido caucho de silicona curvas a 5 × OD dentro de compacto De alta tensión multiplier cascades y HV potencia racks.
Producto
10 kV a 150 kV DC libre de huecos silicona (HSW, HSX) & FEP -con cubierta silicona (HST) HV cable de salida
Valores típicos para este tipo de cable, basados en IEC 60502 / UL 3239 / VDE 0250 / MIL-DTL-16878 — confirmados en la ficha técnica y oferta de su pedido.
Aplicaciones
Ultraflexible no apantallado De alta tensión DC equipos alambre en tres tensión-gradual architectures: homogéneo silicona (HSW, 10–100 kV DC), semiconductor esfuerzo-gradual silicona (HSX, hasta 150 kV DC), y fluoropolímero FEP/PFA -con cubierta silicona (HST) para.
Limp vacuum-extruido caucho de silicona curvas a 5 × OD dentro de compacto De alta tensión multiplier cascades y HV potencia racks.
Operates continuously de −60 °C cryogenic chambers hasta +180 °C (+200 °C peak) térmica environments.
Uso el HST variante (extruido FEP/PFA exterior piel sobre silicona) cuando immersed en transformador aceite, SF6 o cleaning solvents.
No apantallado HV DC alambre has sin exterior metálico pantalla; donde grounded touch-seguridad o EMC apantallamiento está requerido, uso HSUS / HSL.
Uso HSUS / HSL Apantallado HVConstrucción
Tres serie: HSW (cobre estañado + homogéneo libre de huecos HV silicona), HSX (cobre estañado + extruido semiconductor silicona pantalla sobre el conductor + HV silicona para corona suppression ≥ 40 kV), HST (HSW/HSX conductor + de pared delgada transparente FEP fluoropolímero cubierta exterior).
| # | Capa | Material y referencia |
|---|---|---|
| 1 | Fino-Conductor de cobre estañado trenzado | Cobre estañado trenzado (IEC 60228 Class 5 / Class 6, 0.50 mm² / 20 AWG a 16 mm² / 6 AWG)Evita cordón-tip corona inception y garantiza solder/crimp reliability |
| 2 | Extruido semiconductor esfuerzo-smoothing capa (HSX / HST) | Co-extruido semiconductor silicona capa adherido sobre el cableado conductor (estándar en HSX y > 40 kV DC grades)Elimina microscopic air pockets al conductor superficie para que partial discharge cannot initiate |
| 3 | Libre de huecos de alta rigidez dieléctrica caucho de silicona (HSW / HSX / HST) | Multi-pass o presión-vulcanizado alto-purity polydimethylsiloxane (SiR) aislamiento con ≥ 30 kV /mm dieléctrico resistenciaWithstands 10 kV DC a 150 kV DC mientras remaining supple de −60 °C a +180 °C |
| 4 | Opcional FEP fluoropolímero de protección piel (HST serie) | 0.25–0.40 mm extruido etileno-propileno fluorado (FEP) cubierta exterior (en HST serie; HSW/HSX have homogéneo exterior silicona superficie)Proporciona transformador-aceite barrera, bajo coefficient de fricción y mecánico abrasión protección |
Único-monolith alto-purity rojo, blanco o translucent caucho de silicona aislamiento para seco air y cabinet HV DC interconnects
HSX añade un interior semiconductor conductor esfuerzo pantalla para PD-libre servicio a 150 kV DC; HST añade un chemical/aceite-proof FEP cubierta exterior
Datos técnicos
Dimensiones
Nominal conductor sección transversal, DC de trabajo tensión, AC rms capacidad nominal, DC de rutina ensayo tensión, nominal OD y linear peso.
| Designación de pedido | Arquitectura | Conductor mm² (AWG) | Nominal U_DC kV DC | Nominal U_AC kV rms | Ensayo Tensión kV DC | Ø ext. nominal mm | Peso kg/km | Consulta |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSW Serie — Homogéneo Libre de huecos Silicona HV DC Alambre (10 kV a 75 kV DC) | ||||||||
| HSW-10KV-1.0 | HSW Homogéneo SiR | 1.0 (18 AWG) | 10 | 4 | 20 | 3.6 | 20 | |
| HSW-15KV-1.0 | HSW Homogéneo SiR | 1.0 (18 AWG) | 15 | 6 | 30 | 4.2 | 24 | |
| HSW-20KV-1.5 | HSW Homogéneo SiR | 1.5 (16 AWG) | 20 | 8 | 40 | 5.0 | 34 | |
| HSW-30KV-1.5 | HSW Homogéneo SiR | 1.5 (16 AWG) | 30 | 12 | 55 | 6.4 | 48 | |
| HSW-40KV-1.5 | HSW Homogéneo SiR | 1.5 (16 AWG) | 40 | 16 | 70 | 7.6 | 64 | |
| HSW-50KV-2.5 | HSW Homogéneo SiR | 2.5 (14 AWG) | 50 | 20 | 85 | 9.0 | 92 | |
| HSW-60KV-2.5 | HSW Homogéneo SiR | 2.5 (14 AWG) | 60 | 25 | 100 | 10.5 | 118 | |
| HSW-75KV-2.5 | HSW Homogéneo SiR | 2.5 (14 AWG) | 75 | 30 | 120 | 12.2 | 155 | |
| HSX (Semiconductor Esfuerzo-Gradual) & HST (FEP -Con cubierta) HV DC Alambre (30 kV a 150 kV DC) | ||||||||
| HSX-50KV-1.5-SC | HSX Semiconductor + SiR | 1.5 (16 AWG) | 50 | 22 | 90 | 9.2 | 90 | |
| HSX-75KV-2.5-SC | HSX Semiconductor + SiR | 2.5 (14 AWG) | 75 | 32 | 125 | 12.5 | 162 | |
| HSX-100KV-2.5-SC | HSX Semiconductor + SiR | 2.5 (14 AWG) | 100 | 40 | 160 | 15.6 | 245 | |
| HSX-150KV-4.0-SC | HSX Semiconductor + SiR | 4.0 (12 AWG) | 150 | 60 | 225 | 21.5 | 455 | |
| HST-30KV-1.5-FEP | HST SiR + FEP Piel | 1.5 (16 AWG) | 30 | 12 | 55 | 7.0 | 58 | |
| HST-60KV-2.5-FEP | HST SiR + FEP Piel | 2.5 (14 AWG) | 60 | 25 | 100 | 11.2 | 138 | |
Calidad y homologaciones
Ensayos de rutina en cada longitud de fabricación, ensayos de muestreo y tipo por lote — documentados en un certificado EN 10204 3.1.
| Ensayos e inspección | Valor de ensayo / referencia | Frecuencia |
|---|---|---|
| Ensayos de rutina | ||
| 100 % seco spark & agua-bath DC De alta tensión proof ensayo | 20 kV DC a 225 kV DC hold para 5 min según tensión nominal sin breakdown | Cada longitud de producción |
| Ensayos por muestreo | ||
| Partial discharge (corona extinction) ensayo en HSX serie | PD ≤ 5 pC a 1.2 × tensión nominal AC rms | Lote de fabricación |
| Térmica ageing (+180 °C / 168 h) & −60 °C en frío-mandrel curvatura | Cero dieléctrico cracking y ≥ 30 kV /mm post-ageing breakdown | Homologación de tipo |
Marcado y suministro
Marcado de la cubierta
Documentación técnica
Preguntas frecuentes
¿No está aquí? Envíenos su plano — un ingeniero responde en 2 horas laborables.
Solicitar presupuesto
La selección y los datos de aplicación se copian al formulario de consulta inferior.
Use + Añadir junto a una medida o configuración.
Añada aquí las condiciones de servicio para incluirlas en su consulta.